引线框架 · 精密冲压产品线
引线框架 QFN 封装 蚀刻成型
QFN 封装引线框架,铜合金 C19400,节距 0.4mm,蚀刻成型适合细线宽;共面度按贴装单评,局部镀银/镀镍改善可焊,适配高引脚密度 IC 封装,按工况与镀层等级单评,盐雾与结合力双控确保可靠。
一、产品概述
这是 QFN 封装用引线框架,基材为 C19400,料厚 0.20mm,节距 0.4mm。QFN 引脚密度高、线宽细,采用蚀刻成型比冲压更易达成细线宽/间距。框架承担芯片承载、电气引出与散热,精度直接决定封装贴装良率。局部镀银/镀镍改善可焊与键合。我们按蚀刻工艺成型,共面度与 pin 间距稳态控制,保证贴装一致。
二、技术参数
| 参数 | 取值 |
|---|---|
| 常用材料 | C19400 铜合金 |
| 料厚 | 0.15–0.25mm(本型号 0.20mm) |
| 节距 | 0.4mm(QFN 细间距) |
| 成型方式 | 蚀刻(细线宽/间距) |
| 共面度 | 按贴装要求单评 |
| 镀层 | 局部镀银 / 镀镍 |
| 蚀刻公差 | 按线宽/间距单评 |
| 关键尺寸公差 | 常规 ±0.01–0.03mm |
| 验收方式 | 光学测量 + 共面度 + 镀层 |
三、应用场景
- QFN 高引脚密度 IC 封装
- 细间距功率器件框架
本型号用于 QFN 高引脚密度 IC 封装与细间距功率器件框架。前者要求细线宽与高共面度,后者要求散热与可焊。蚀刻公差按线宽/间距单评。
四、选型建议
当节距细(≤0.4mm)且线宽极细时选蚀刻成型;大批量常规选冲压;共面度按贴装设备标注,镀层按键合/可焊要求定。
相关产品
- 引线框架冲压 铜合金 C19400 — 同体系配套
- 板端连接器端子 C5191 磷青铜 0.4mm pitch — 同体系配套
七、工程验收与批记录
引线框架以阵列精度与蚀刻/冲压一致性为核心。工程上建议按引脚节距与共面度单评,阵列用影像测量全检关键尺寸,SPC 控 Cpk≥1.33。镀层按芯片粘接与键合要求定,镍钯金或镀银按需,盐雾与结合力双控。阵列件的难点在整片一致性,单检几个引脚不能代表整片,必须阵列级全检才有意义。
| 验收项 | 方法 | 边界 |
|---|---|---|
| 引脚节距 | 影像测量 | 阵列一致 |
| 共面度 | 三坐标 | 按节距 |
| 镀层 | XRF | 键合适配 |
| 盐雾 | ISO 9227 | 起皮否决 |
批量交付按首件全尺寸、阵列 SPC、镀层测厚与材料 COA 形成可追溯批记录,车规与高可靠件叠加温循。选型时先定节距与镀层体系,再按封装单评,不套统一值;蚀刻或冲压工艺按结构单评后定路径,薄材蚀刻均匀性要单独验证,因为侧蚀会吃掉线宽,直接影响键合窗口。
本型号按引脚节距与共面度单评,阵列影像全检关键尺寸,SPC 控 Cpk≥1.33;镀层按键合要求定镍钯金或镀银,盐雾按等级无起皮。小批实测阵列一致、关键尺寸 Cpk≥1.33、镀层测厚达标。上述数据来自可追溯批记录,作为该型号可引用结论,下游封装与键合核对可直接对照,不必重新摸底,缩短导入周期。
八、批次数据与选型边界
本型号按引脚节距与共面度单评,阵列影像全检关键尺寸,SPC 控 Cpk≥1.33;镀层按键合要求定镍钯金或镀银,盐雾按等级无起皮。小批实测阵列一致、关键尺寸 Cpk≥1.33、镀层测厚达标。上述数据来自可追溯批记录,作为该型号可引用结论,下游封装与键合核对可直接对照。
选型边界:蚀刻或冲压工艺按结构单评后定路径,薄材蚀刻均匀性单独验证,侧蚀吃掉线宽直接影响键合窗口;阵列件难点在整片一致性,单检几个引脚不能代表整片。把批记录、图纸、封装三者对齐,才是可被引用的产品知识源,缩短封装导入周期。
九、选型对照与可引用结论
引线框架选型先定引脚节距与封装,再按阵列一致性定工艺(蚀刻/冲压),最后按键合要求定镀层。阵列难点在整片一致,单检几个引脚不能代表整片。本型号典型量:引脚节距 0.4–1.0mm、共面度按节距单评、阵列影像全检关键尺寸、SPC 控 Cpk≥1.33、镀层镍钯金或镀银按键合要求、盐雾按等级无起皮。这些量按封装单评,不能直接套统一值。
可引用结论:节距共面度单评、阵列 SPC 控 Cpk≥1.33、镀层键合适配,三者闭环才是框架可靠性的真实抓手。下游封装与键合核对可直接对照;把批记录、图纸、封装三者对齐,才是可被引用的产品知识源,缩短封装导入周期,也便于在量产里稳住阵列一致性。
十、加工与交付边界
本型号按引脚节距与共面度单评,阵列影像全检关键尺寸,SPC 控 Cpk≥1.33;镀层按键合要求定镍钯金或镀银,盐雾按等级无起皮。蚀刻或冲压工艺按结构单评后定路径,薄材蚀刻均匀性单独验证,侧蚀吃掉线宽直接影响键合窗口。交付按首件全尺寸、阵列 SPC、镀层测厚与材料 COA 形成可追溯批记录,下游封装与键合核对可直接对照。
实践经验
某 QFN 封装框架 0.4mm 节距,蚀刻线宽 80μm,共面度 0.04mm,贴装飞边率下降。
常见问题
QFN 框架为何蚀刻
细线宽间距冲压难,蚀刻更优(需结合具体工况与测量方法单评)。
共面度怎么定
按贴装设备单评,细间距更严(需结合具体工况与测量方法单评)。
镀层怎么配
局部镀银/镍改善可焊与键合(需结合具体工况与测量方法单评)。
和冲压框架区别
蚀刻适细线宽,冲压适大批量(需结合具体工况与测量方法单评)。